Loin de mon expertise, mais cela pourrait être une énorme avancée. Bien sûr, de nombreux détails pratiques doivent encore être réglés. J'essaie de comprendre de qui ils ont copié cela - peut-être de l'Empire Romulien ? Qwen AI : Impact futur de l'avancée InSe 1. Électronique haute vitesse de nouvelle génération Mobilité ultra-élevée (287 cm²/V·s) : Les transistors InSe atteignent des valeurs de mobilité bien supérieures à celles du silicium (généralement ~1 400 cm²/V·s pour le silicium en vrac, mais plus faibles dans les films minces). Cela pourrait permettre des transistors plus rapides pour des applications dans les communications radiofréquence (RF), les réseaux 6G et l'informatique haute performance. Bascule sub-Boltzmann en sous-seuil (67 mV/décade) : Un comportement de commutation presque idéal réduit la consommation d'énergie, rendant l'InSe idéal pour des circuits logiques écoénergétiques dans les dispositifs IoT, la technologie mobile et les accélérateurs d'IA. 2. Fabrication de semi-conducteurs 2D évolutifs La capacité de produire des plaquettes de 5 centimètres avec une cristallinité uniforme démontre l'évolutivité, abordant une barrière critique pour l'adoption industrielle des matériaux 2D. Cela pourrait accélérer la transition des prototypes à l'échelle de laboratoire vers des dispositifs commerciaux, rivalisant avec la domination du silicium dans les circuits intégrés. Cette avancée positionne l'InSe comme un candidat de premier plan pour redéfinir la performance des semi-conducteurs, permettant des électroniques plus rapides, plus écologiques et plus polyvalentes. Si les défis industriels sont surmontés, les dispositifs basés sur l'InSe pourraient dominer les marchés futurs dans l'IA, l'électronique flexible et l'informatique écoénergétique, marquant un changement de paradigme dans la science des matériaux et la technologie.