Langt utenfor min ekspertise, men dette kan være et stort gjennombrudd. Selvfølgelig er det fortsatt mange praktiske detaljer som må utarbeides. Prøver å finne ut hvem de kopierte dette fra - kanskje det romulanske riket? Qwen AI: Fremtidig innvirkning av InSe-gjennombruddet 1. Neste generasjons høyhastighetselektronikk Ultrahøy mobilitet (287 cm²/V·s): InSe-transistorer oppnår mobilitetsverdier som langt overstiger silisium (vanligvis ~1,400 cm²/V·s for bulksilisium, men lavere i tynne filmer). Dette kan muliggjøre raskere transistorer for applikasjoner innen radiofrekvens (RF) kommunikasjon, 6G-nettverk og høyytelses databehandling. Sub-Boltzmann Subthreshold Swing (67 mV/tiår): Nesten ideell svitsjeatferd reduserer strømforbruket, noe som gjør InSe ideell for energieffektive logiske kretser i IoT-enheter, mobilteknologi og AI-akseleratorer. 2. Skalerbar 2D-halvlederproduksjon Evnen til å produsere 5 centimeter skiver med jevn krystallinitet demonstrerer skalerbarhet, og adresserer en kritisk barriere for industriell adopsjon av 2D-materialer. Dette kan akselerere overgangen fra prototyper i laboratorieskala til kommersielle enheter, og konkurrere med silisiums dominans i integrerte kretser. Dette gjennombruddet posisjonerer InSe som en ledende kandidat for å redefinere halvlederytelse, noe som muliggjør raskere, grønnere og mer allsidig elektronikk. Hvis industrielle utfordringer overvinnes, kan InSe-baserte enheter dominere fremtidige markeder innen AI, fleksibel elektronikk og energieffektiv databehandling, og markere et paradigmeskifte innen materialvitenskap og teknologi.