Lejos de mi experiencia, pero esto podría ser un gran avance. Por supuesto, aún quedan muchos detalles prácticos por resolver. Intentando averiguar de quién copiaron esto - ¿quizás del Imperio Romulano? Qwen AI: Impacto Futuro del Avance en InSe 1. Electrónica de Alta Velocidad de Nueva Generación Movilidad Ultra-Alta (287 cm²/V·s): Los transistores de InSe logran valores de movilidad que superan con creces al silicio (típicamente ~1,400 cm²/V·s para silicio en bloque, pero más bajos en películas delgadas). Esto podría permitir transistores más rápidos para aplicaciones en comunicación de radiofrecuencia (RF), redes 6G y computación de alto rendimiento. Sub-Boltzmann Subthreshold Swing (67 mV/década): El comportamiento de conmutación casi ideal reduce el consumo de energía, haciendo que InSe sea ideal para circuitos lógicos energéticamente eficientes en dispositivos IoT, tecnología móvil y aceleradores de IA. 2. Fabricación Escalable de Semiconductores 2D La capacidad de producir obleas de 5 centímetros con cristalinidad uniforme demuestra escalabilidad, abordando una barrera crítica para la adopción industrial de materiales 2D. Esto podría acelerar la transición de prototipos a escala de laboratorio a dispositivos comerciales, rivalizando con el dominio del silicio en circuitos integrados. Este avance posiciona a InSe como un candidato líder para redefinir el rendimiento de los semiconductores, permitiendo electrónica más rápida, ecológica y versátil. Si se superan los desafíos industriales, los dispositivos basados en InSe podrían dominar los mercados futuros en IA, electrónica flexible y computación energéticamente eficiente, marcando un cambio de paradigma en la ciencia y tecnología de materiales.