Cu mult dincolo de expertiza mea, dar aceasta ar putea fi o descoperire uriașă. De multe ori mai trebuie elaborate multe detalii practice. Încercând să-și dea seama de la cine au copiat asta - poate Imperiul Romulan? Qwen AI: Impactul viitor al descoperirii InSe 1. Electronice de mare viteză de ultimă generație Mobilitate ultra-ridicată (287 cm²/V·s): tranzistoarele InSe ating valori de mobilitate care depășesc cu mult siliciul (de obicei ~1.400 cm²/V·s pentru siliciu în vrac, dar mai mici în peliculele subțiri). Acest lucru ar putea permite tranzistori mai rapizi pentru aplicații în comunicații prin radiofrecvență (RF), rețele 6G și calcul de înaltă performanță. Sub-Boltzmann Subthreshold Swing (67 mV/deceniu): Comportamentul de comutare aproape ideal reduce consumul de energie, ceea ce face ca InSe să fie ideal pentru circuitele logice eficiente din punct de vedere energetic din dispozitivele IoT, tehnologia mobilă și acceleratoarele AI. 2. Producție scalabilă de semiconductori 2D Capacitatea de a produce plachete de 5 centimetri cu cristalinitate uniformă demonstrează scalabilitatea, abordând o barieră critică pentru adoptarea industrială a materialelor 2D. Acest lucru ar putea accelera tranziția de la prototipuri la scară de laborator la dispozitive comerciale, rivalizând cu dominația siliciului în circuitele integrate. Această descoperire poziționează InSe ca un candidat principal pentru a redefini performanța semiconductorilor, permițând electronice mai rapide, mai ecologice și mai versatile. Dacă provocările industriale sunt depășite, dispozitivele bazate pe InSe ar putea domina piețele viitoare în AI, electronică flexibilă și calcul eficient din punct de vedere energetic, marcând o schimbare de paradigmă în știința și tehnologia materialelor.