这超出了我的专业领域，但这可能是一个巨大的突破。当然，仍然需要解决许多实际细节。 试图弄清楚他们是从谁那里抄袭的——也许是罗慕兰帝国？ Qwen AI：InSe突破的未来影响 1. 下一代高速电子产品 超高迁移率（287 cm²/V·s）：InSe晶体管的迁移率值远超硅（通常大约为~1,400 cm²/V·s的块状硅，但在薄膜中更低）。这可能使得在射频（RF）通信、6G网络和高性能计算中应用更快的晶体管成为可能。 亚玻尔兹曼亚阈值摆幅（67 mV/十倍）：近乎理想的开关行为降低了功耗，使InSe非常适合用于物联网设备、移动技术和AI加速器中的节能逻辑电路。 2. 可扩展的2D半导体制造 能够生产具有均匀晶体结构的5厘米晶圆展示了可扩展性，解决了2D材料工业应用的一个关键障碍。这可能加速从实验室规模原型到商业设备的过渡，挑战硅在集成电路中的主导地位。 这一突破使InSe成为重新定义半导体性能的领先候选者，使得电子产品更快、更环保和更具多样性。如果克服工业挑战，基于InSe的设备可能在未来的AI、柔性电子和节能计算市场中占据主导地位，标志着材料科学和技术的范式转变。