Muy lejos de mi experiencia, pero esto podría ser un gran avance. Por supuesto, aún quedan muchos detalles prácticos por resolver. Tratando de averiguar de quién copiaron esto, ¿tal vez del Imperio Romulano? Qwen AI: Impacto futuro del avance de InSe 1. Electrónica de alta velocidad de próxima generación Movilidad ultra alta (287 cm²/V·s): Los transistores InSe alcanzan valores de movilidad que superan con creces al silicio (normalmente ~1.400 cm²/V·s para el silicio a granel, pero más bajos en películas delgadas). Esto podría permitir transistores más rápidos para aplicaciones en comunicación de radiofrecuencia (RF), redes 6G y computación de alto rendimiento. Oscilación subumbral de Boltzmann (67 mV/década): El comportamiento de conmutación casi ideal reduce el consumo de energía, lo que hace que InSe sea ideal para circuitos lógicos de bajo consumo en dispositivos IoT, tecnología móvil y aceleradores de IA. 2. Fabricación escalable de semiconductores 2D La capacidad de producir obleas de 5 centímetros con cristalinidad uniforme demuestra escalabilidad, abordando una barrera crítica para la adopción industrial de materiales 2D. Esto podría acelerar la transición de prototipos a escala de laboratorio a dispositivos comerciales, rivalizando con el dominio del silicio en los circuitos integrados. Este avance posiciona a InSe como un candidato líder para redefinir el rendimiento de los semiconductores, lo que permite una electrónica más rápida, ecológica y versátil. Si se superan los desafíos industriales, los dispositivos basados en InSe podrían dominar los mercados futuros en IA, electrónica flexible y computación energéticamente eficiente, marcando un cambio de paradigma en la ciencia y tecnología de materiales.