這超出了我的專業範疇，但這可能是一個巨大的突破。當然，還有很多實際細節需要解決。 試圖找出他們是從誰那裡抄襲的——也許是羅馬帝國？ Qwen AI：InSe突破的未來影響 1. 下一代高速電子學 超高流動性（287 cm²/V·s）：InSe晶體管的流動性值遠超過矽（通常大約為1,400 cm²/V·s的散裝矽，但在薄膜中較低）。這可能使得在無線頻率（RF）通信、6G網絡和高性能計算中的應用能夠實現更快的晶體管。 亞玻爾茲曼亞閾值擺幅（67 mV/十倍）：近乎理想的開關行為降低了功耗，使InSe成為物聯網設備、移動技術和AI加速器中能效邏輯電路的理想選擇。 2. 可擴展的2D半導體製造 能夠生產具有均勻晶體結構的5厘米晶圓顯示了可擴展性，解決了2D材料工業採用的關鍵障礙。這可能加速從實驗室規模原型到商業設備的過渡，與矽在集成電路中的主導地位相抗衡。 這一突破使InSe成為重新定義半導體性能的領先候選者，實現更快、更環保和更具多功能性的電子產品。如果克服工業挑戰，基於InSe的設備可能在AI、柔性電子和能效計算的未來市場中佔據主導地位，標誌著材料科學和技術的範式轉變。