Muito além da minha experiência, mas isso pode ser um grande avanço. Ofc muitos detalhes práticos ainda precisam ser trabalhados. Tentando descobrir de quem eles copiaram isso - talvez o Império Romulano? Qwen AI: Impacto futuro do avanço do InSe 1. Eletrônica de alta velocidade de última geração Mobilidade ultra-alta (287 cm²/V·s): Os transistores InSe atingem valores de mobilidade muito superiores ao silício (normalmente ~1.400 cm²/V·s para silício a granel, mas mais baixos em filmes finos). Isso pode permitir transistores mais rápidos para aplicações em comunicação de radiofrequência (RF), redes 6G e computação de alto desempenho. Sub-Boltzmann Subthreshold Swing (67 mV/década): O comportamento de comutação quase ideal reduz o consumo de energia, tornando o InSe ideal para circuitos lógicos com eficiência energética em dispositivos IoT, tecnologia móvel e aceleradores de IA. 2. Fabricação de semicondutores 2D escaláveis A capacidade de produzir wafers de 5 centímetros com cristalinidade uniforme demonstra escalabilidade, abordando uma barreira crítica para a adoção industrial de materiais 2D. Isso poderia acelerar a transição de protótipos em escala de laboratório para dispositivos comerciais, rivalizando com o domínio do silício em circuitos integrados. Esse avanço posiciona a InSe como uma das principais candidatas a redefinir o desempenho de semicondutores, permitindo eletrônicos mais rápidos, ecológicos e versáteis. Se os desafios industriais forem superados, os dispositivos baseados em InSe poderão dominar os mercados futuros em IA, eletrônica flexível e computação com eficiência energética, marcando uma mudança de paradigma na ciência e tecnologia de materiais.