Muito além da minha especialização, mas isso pode ser um grande avanço. Claro que muitos detalhes práticos ainda precisam ser resolvidos. Tentando descobrir de quem eles copiaram isso - talvez do Império Romulano? Qwen AI: Impacto Futuro do Avanço em InSe 1. Eletrônica de Alta Velocidade de Próxima Geração Mobilidade Ultra-Alta (287 cm²/V·s): Transistores de InSe alcançam valores de mobilidade muito superiores ao silício (tipicamente ~1.400 cm²/V·s para silício em bloco, mas menor em filmes finos). Isso pode permitir transistores mais rápidos para aplicações em comunicação de radiofrequência (RF), redes 6G e computação de alto desempenho. Sub-Boltzmann Subthreshold Swing (67 mV/década): Comportamento de comutação quase ideal reduz o consumo de energia, tornando o InSe ideal para circuitos lógicos energeticamente eficientes em dispositivos IoT, tecnologia móvel e aceleradores de IA. 2. Fabricação Escalável de Semicondutores 2D A capacidade de produzir wafers de 5 centímetros com cristalinidade uniforme demonstra escalabilidade, abordando uma barreira crítica para a adoção industrial de materiais 2D. Isso pode acelerar a transição de protótipos em escala de laboratório para dispositivos comerciais, rivalizando com o domínio do silício em circuitos integrados. Esse avanço posiciona o InSe como um candidato líder para redefinir o desempenho de semicondutores, permitindo eletrônicos mais rápidos, ecológicos e versáteis. Se os desafios industriais forem superados, dispositivos baseados em InSe poderiam dominar os futuros mercados em IA, eletrônicos flexíveis e computação energeticamente eficiente, marcando uma mudança de paradigma na ciência e tecnologia dos materiais.