Далеко за пределами моей экспертизы, но это может быть огромным прорывом. Конечно, много практических деталей еще нужно проработать. Пытаюсь выяснить, у кого они это скопировали - может быть, у Ромуланской Империи? Qwen AI: Будущее влияние прорыва InSe 1. Электроника следующего поколения с высокой скоростью Ультра-высокая подвижность (287 см²/В·с): Транзисторы InSe достигают значений подвижности, значительно превышающих кремний (обычно ~1,400 см²/В·с для объемного кремния, но ниже в тонких пленках). Это может позволить создавать более быстрые транзисторы для приложений в радиочастотной (RF) связи, сетях 6G и высокопроизводительных вычислениях. Подпороговый переход ниже Больцмана (67 мВ/декада): Почти идеальное переключающее поведение снижает потребление энергии, что делает InSe идеальным для энергоэффективных логических схем в устройствах IoT, мобильной технологии и ускорителях ИИ. 2. Масштабируемое производство 2D полупроводников Способность производить 5-сантиметровые пластины с однородной кристалличностью демонстрирует масштабируемость, устраняя критическое препятствие для промышленного применения 2D материалов. Это может ускорить переход от лабораторных прототипов к коммерческим устройствам, соперничая с доминированием кремния в интегральных схемах. Этот прорыв позиционирует InSe как ведущего кандидата на переопределение производительности полупроводников, позволяя создавать более быстрые, экологически чистые и более универсальные электронные устройства. Если промышленные проблемы будут преодолены, устройства на основе InSe могут доминировать на будущих рынках в области ИИ, гибкой электроники и энергоэффективных вычислений, что станет парадигмальным сдвигом в науке о материалах и технологиях.